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第11部分(第3/4 页)

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开这个让其倒霉透顶的地方的时候,从身后传来一个柔和的声音。

然后只见得后者给他递过来一张折过几折的小纸条,立马就又走开了。

对于接过来的小纸条,布雷迪也不是太在意,现在的他心情实在是太低了,不过他也是习惯xing的将纸条展开然后随便瞄了一眼。

然后他的表情就像是年轻的小伙子在别人家偷了人家的姑娘一样,立马滴溜烟似的快步离开了会场……

第 026 章 鱼儿上钩了

布雷迪将展开在手里的纸条翻来覆去的看了一遍又一遍,整个脸部不断抽动的表情仿佛想知道这到底是不是上帝在和自己开一个国际大玩笑。

接受完各方的额祝贺,反应过来的小林宏志才想到了要和即将入手的研究所核心人物见个面打个招呼,向其表达一下自己的友善,但是这四处一看,哪还能找得到人……

今天这一个夜晚,注定对于有些人来说是个不眠之夜,小林宏志、井深大及小田中村次郎回到酒店继续欢庆,布雷迪却是苦逼的睡在床上翻来覆去无法入眠,连带着这一夜他的妻子艾连娜也无法象往常那样睡个好觉。

第 026 章 介绍一下吗?”

“没问题,我之前使用的也是直拉法生长技术。

通过强电阻加热,将装在石英坩埚中的多晶硅熔化,并保持略高于硅熔点的温度,然后将籽晶浸入熔体,再以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体;

然后控制晶体的延伸,并将其控制到所需要的直径,上下正反方向旋转拉扯,控制晶体等径生长到所需长度,最后再收尾,待晶体冷却便将其取出。”

布雷迪详细的介绍了一下他制造单晶硅的流程,基本上是按照之前的直拉法单晶硅制造工艺流程来的,这也是目前单晶硅产业内的通用制造方法。

“我知道了,教授刚才所描述的方法基本上是没什么大问题的,但是有几个小问题不知道教授在实际生产cāo作中有没有考虑到。

一是采用直拉法时,引晶阶段的熔体高度最高,而裸露坩埚壁的高度最小,在晶体生长过程直到收尾阶段。

这个过程裸露坩埚壁的高度不断增大,这样造成生长条件不断变化包括熔体的对流、热传输、固液界面形状等,即整个晶棒从头到尾经历不同的受热状况,头部受热时间最长,尾部最短,这样肯定会造成晶体轴向、径向杂质分布不均匀。

同时在直拉法中,氧含量及其分布是非常重要,但是氧含量又是难以控制的参数,这主要是熔体中的热对流加剧了熔融硅与石英坩锅的作用,即坩锅中的o2、b、al等杂质易于进入熔体和晶体,最后就造成了出炉的单晶硅棒杂质含量过高。”

产生的问题这对于姚飞来说压根就没什么好隐瞒的,解决产生问题的技术才是关键,接着他又将传统的单晶硅直拉生产技术中容易出现的问题跟布雷迪大致介绍了一遍。

“那姚先生所说的磁控直拉技术便是针对这方面的改进?”

布雷迪这个时候哪有平时那副全能全知的教授气度,完全是个懵懂的小学生,正一脸满怀期待的表情等待着姚飞的回答。

“不错,磁控直拉生长技术便是对传统的直拉生长技术的改进,此技术改进减少了熔体中的温度波度。

目前直拉法中固液界面附近熔体中的温度波动可以达到10c以上,而如果施加一个0。2t的磁场,那这个温度波动就会小于1c。

这样可以明显提高晶体中杂质分布的均匀xing,同时晶体的径向电阻分布均匀xing也可以得到提高;

这样一来,就可以降低单晶中的缺陷密度,减少杂质的进入,也就提高了晶体的纯度。

这是由于在磁场作用下,熔融硅与坩锅的作用减弱,使坩锅中的杂质较少进入熔体和晶体。

将磁场强度与晶体转动、坩锅转动等工艺参数结合起来,可有效控制晶体中氧浓度的变化;由于磁粘滞xing,使扩散层厚度增大,可提高杂质纵向分布均匀xing;有利于提高生产率。

采用磁控直拉技术,如用水平磁场,当生长速度为一般直拉法两倍时,仍可得到质量较高的晶体,对于大规模批量生产简直就是福音。”

对于这个磁控直拉技术,姚飞也没有藏私,将改进方法和一些改进参数告诉了布雷迪……

第 027 章 真的成功了

“原来是这么回事,那

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